Kapasitera snubber GTO amin'ny fitaovana elektronika herinaratra

Kapasitera GTO snubber amin'ny fitaovana elektronika herinaratra Sary nasongadina

Famaritana fohy:

Tena ilaina amin'ny diode ampiasaina amin'ny circuit switching ny circuit snubber. Afaka miaro ny diode amin'ny fiakaran'ny voltase tafahoatra izy io, izay mety hipoitra mandritra ny dingana famerenana amin'ny laoniny.

Alefaso mailaka aminay Sintomy amin'ny endrika PDF

Antsipirian'ny vokatra

Marika vokatra

Angon-drakitra ara-teknika

Elanelana mari-pana miasa	Mari-pana ambony indrindra., Ambony, ambony indrindra: + 85℃ Mari-pana ambony indrindra: + 85℃ Mari-pana ambany indrindra: -40℃
isan-karazany ny capacitance	0.22～3μF
Voltazy voaisa	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Mahazaka voltazy	1.35Un DC/10S
Antony fandroahana	tgδ≤0.001 f=1KHz
Fanoherana ny insulasiôna	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (amin'ny 20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (amin'ny 20℃ 100V.DC 60S)
Mahazaka ny fikorianan'ny herinaratra	jereo ny takelaka angon-drakitra
Androm-piainana	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Fenitra fanondroana	IEC 61071;

endri-javatra

1. Kasety Mylar, voaisy tombo-kase amin'ny resina;

2. Tariby varahina;

3. Fanoherana ny voltase avo lenta, tgδ ambany, fiakaran'ny mari-pana ambany;

4. ESL sy ESR ambany;

5. Fikorianan'ny herinaratra avo lenta.

Fampiharana

1. GTO Snubber.

2. Ampiasaina betsaka amin'ny fitaovana elektronika herinaratra rehefa miaro amin'ny voltase ambony indrindra, miaro amin'ny fidiran'ny courant ambony indrindra.

Fizaran-tany mahazatra

Sary misongadina

famaritana

Un=3000V.DC
Kapasitansa (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Kapasitansa (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Kapasitansa (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Kapasitansa (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Kapasitansa (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70